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【TechWeb】7月8日消息,基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件,如今更进一步,Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中,成为行业竞争的领跑者。
新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术,这为产品设计带来了若干挑战。首先,随着功能的增加,可供使用的电路板空间变得十分宝贵,另外,随着功耗的增加,散热也成为一个不容忽视的问题。
Nexperia作为分立器件生产行业领导者,凭借数十年经验的沉淀,设计出这一超小尺寸的创新型MOSFET系列,成功地克服了这两个问题。超薄型DFN0603封装,尺寸仅为0.63 x 0.33 x 0.25 mm,比第二小封装(DFN0604)的MOSFET使用的空间少13%。令人惊叹的是,这种尺寸上的缩小毫不影响器件性能,事实上,这些MOSFET的RDS(on)减少了74%,这有助于提高效率,从而使可穿戴设备设计师能够实现更大的功率密度。
该新系列小型MOSFET包括:
PMX100UN 20 V,N沟道Trench MOSFET
PMX100UNE 20 V,N沟道Trench MOSFET,带2kV ESD保护(HBM)
PMX300UNE 30 V,N沟道Trench MOSFET
PMX400UP 20 V,P沟道Trench MOSFET
据悉Nexperia计划于2022年下半年为该系列再增加两款MOSFET。
关键词: 安世半导体