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【TechWeb】8月30日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET “TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。
新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
关键词： 第3代SiCMOSFET
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