“晶湛半导体”完成数亿元战略融资,深入研发氮化镓外延材料

时间:2022-03-06 17:26:48       来源:腾讯网

猎云网3月3日消息,苏州晶湛半导体有限公司(以下简称“晶湛半导体”)宣布完成数亿元B+轮战略融资,本轮融资由歌尔微电子领投,高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投,老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。

据报道,晶湛半导体的本轮融资资金将主要用于公司总部和研发中心的建设,目标建成国际一流、国内首屈一指的氮化镓电力电子、射频电子以及微显示材料研发生产基地,有助于推动晶湛半导体进入新的发展阶段。

公司官网显示,晶湛半导体成立于2012年3月,致力于为微波射频和电力电子器件应用领域提供高品质氮化镓外延材料。2013年8月,晶湛半导体开始在苏州纳米城建设国际先进的GaN外延材料生产线,可年产150mm氮化镓外延片2万片。而后,该公司曾于2014年底,率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品。

根据智慧芽数据显示,晶湛半导体目前共有280余件专利申请,其中授权发明专利超过70件,公司专利布局主要与氮化物、硅衬底等领域相关。

另据智慧芽此前发布的《第三代半导体氮化镓(GaN)技术洞察报告》显示,全球在氮化镓产业已申请16万余件专利。目前,中美日三国为氮化镓技术的热点布局市场,其中美日起步早,而中国则后起发力强劲,近几年保持持续高涨趋势。

关键词: 晶湛半导体完成数亿元战略融资 深入研发氮化镓外延材